Samsung вже деякий час намагається наздогнати свого головного конкурента у сфері виробництва напівпровідників, тайванського гіганта TSMC. Минулого року його напівпровідниковий підрозділ Samsung Foundry оголосив, що розпочне виробництво 3-нм мікросхем у середині цього року та 2025-нм у 2 році. Тепер TSMC також оголосила план виробництва своїх 3- і 2-нм чіпів.
Фото галерея
TSMC оголосила, що почне масове виробництво своїх перших 3-нм чіпів (з використанням технології N3) у другій половині цього року. Очікується, що чіпи, створені за новим 3-нм техпроцесом, будуть випущені на початку наступного року. Напівпровідниковий колос планує розпочати виробництво 2-нм мікросхем у 2025 році. Крім того, TSMC використовуватиме технологію GAA FET (Gate-All-Around Field-Effect Transistor) для своїх 2-нм мікросхем. Samsung також використовуватиме це вже для своїх 3-нм чіпів, які вона почне виробляти пізніше цього року. Очікується, що ця технологія значно підвищить енергоефективність.
Вас може зацікавити
Сучасні виробничі процеси TSMC можуть використовувати великі технологічні гравці, такі як Apple, AMD, Nvidia або MediaTek. Однак деякі з них також можуть використовувати ливарні заводи Samsung для деяких своїх мікросхем.
