Компанія Samsung офіційно представила чіп LPDDR8 DRAM на 5 ГБ для смартфонів. За словами компанії, це перший чіп LPDDR8 на 5 ГБ, виготовлений за технологією, позначеною як 10-нм-клас, який може бути будь-яким між 10 і 19 нм. Попередник, тобто чіп LPDDR8 на 4 ГБ, був випущений ще в 2014 році, тому південнокорейський гігант представить інновацію був лише питанням часу.
Samsung заявляє, що LPDDR5 знайде застосування в основному в сферах 5G, автомобільних і мобільних пристроїв з використанням штучного інтелекту. Завдяки швидкості передачі 6 Мбіт/с мікросхема LPDDR400 DRAM ємністю 8 ГБ у 5 рази швидша за мобільні мікросхеми DRAM, які використовуються в сучасних флагманах. Galaxy S9 має чіп LPDDR4X зі швидкістю передачі даних 4 Мбіт/с. LPDDR266 може надсилати 5 ГБ даних на секунду, що становить приблизно 51,2 HD-відеофайлів.
Samsung запропонує як версію з повною пропускною здатністю при напрузі 1,1 В, так і більш слабку і економічну 5 Мбіт/с при 500 В. LPDDR1,05 також запропонує режим глибокого сну (Глибокий сон), що приблизно вдвічі зменшить енергоспоживання поточних LPDDR4X DRAM. Samsung стверджує, що за допомогою нового чіпа вона може зменшити споживання енергії до 30%, і таким чином продовжити термін служби акумуляторів смартфонів.
Напевно, фішка ще u Galaxy Note9 не з'явиться, але, ймовірно, отримає його наступного року Galaxy S10.
