У ці дні Samsung готується розпочати виробництво надшвидкої флеш-пам’яті UFS 2.0 NAND, яку планує використовувати у своєму майбутньому флагмані Samsung Galaxy S6. Досі використовувалася технологія флеш-пам’яті eMMC NAND, яка змогла досягти швидкості передачі 400 МБ/с. Однак завдяки новій технології UFS другого покоління пам'ять буде в телефонах Galaxy S6 здатний досягати швидкості передачі до 1.2 ГБ/с, тобто в три рази вище.
Звичайно, це відобразиться на передачі великих файлів, наприклад, передачі відео 4K за допомогою з’єднання LTE-A. Крім того, у порівнянні з eMMC 5.0 технологія пропонує до 50% нижче споживання, що позитивно впливає на час автономної роботи нового телефону. Samsung також планує використовувати цю технологію у своїх картах SD і microSD і, очевидно, вже наполегливо над цим працює. Основний китайський конкурент Samsung, Xiaomi, також планує використовувати флеш-пам'ять UFS, і, схоже, до неї також зацікавляться Toshima, Hynix і Micron. Крім того, завдяки технології UFS компанія Samsung буде змушена використовувати порт microUSB 3.0, якщо хоче використовувати швидкість передачі при передачі файлів з комп’ютера на мобільний телефон і навпаки.
var sklikData = { elm: "sklikReklama_47926", zoneId: 47926, w: 600, h: 190 };
var sklikData = { elm: "sklikReklama_47925", zoneId: 47925, w: 600, h: 190 };
*Джерело: ETNews
