Сьогодні Samsung розпочала масове виробництво своїх нових модулів DDR3 DRAM за 20-нанометровим технологічним процесом. Ці нові модулі мають ємність 4 ГБ, тобто 512 МБ. Однак доступна пам'ять окремих модулів не є їх основною особливістю. Прогрес полягає саме у використанні нового виробничого процесу, який призводить до зниження енергоспоживання на 25% порівняно зі старим 25-нанометровим процесом.
Перехід на 20-нм технологію також є останнім кроком, який відділяє компанію від початку виробництва модулів пам'яті за 10-нм техпроцесом. Технологія, яка зараз використовується для нових модулів, також є найпередовішою на ринку, і її можна використовувати не лише з комп’ютерами, а й з мобільними пристроями. Для комп’ютерів це означає, що тепер Samsung може створювати мікросхеми такого ж розміру, але зі значно більшою оперативною пам’яттю. Samsung також довелося модифікувати свою існуючу технологію, щоб зробити чіпи меншими при збереженні поточного методу виробництва.
- Вас може зацікавити: Компанія Samsung розробила першу мобільну DRAM-пам’ять LPDDR8 на 4 Гб
